中國(guó)粉體網(wǎng)訊 目前,主流的碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)主要包括物理氣相沉積法(PVT)、液相生長(zhǎng)法(LPE)、高溫化學(xué)氣相沉積法(HTCVD)。物理氣相沉積法(PVT)PVT法生長(zhǎng)SiC單晶涉及許多復(fù)雜的過(guò)程,其工作原理是通過(guò)感應(yīng)線圈將坩[更多]
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