中國粉體網(wǎng)訊 在半導(dǎo)體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領(lǐng)域。近年來，我國積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績，在國際市場備受認(rèn)可。
首次中國企業(yè)獲獎！天岳先進(jìn)獲半導(dǎo)體行業(yè)國際大獎
近日，第31屆半導(dǎo)體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京隆重舉行。中國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)天岳先進(jìn)憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破，力壓日本頂尖半導(dǎo)體材料巨頭三井化學(xué)和三菱材料等強(qiáng)勁對手，榮獲由日本權(quán)威半導(dǎo)體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導(dǎo)體電子材料”類金獎。
據(jù)了解，這不僅是中國企業(yè)在該獎項設(shè)立31年以來的首次問鼎，更是該獎項歷史上首次將最高榮譽(yù)授予碳化硅襯底材料技術(shù)。
半導(dǎo)體年度獎由日本最具公信力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設(shè)備、器件及材料三大領(lǐng)域的杰出技術(shù)創(chuàng)新，其獎項以嚴(yán)苛的評選標(biāo)準(zhǔn)和極高的行業(yè)權(quán)威性著稱。在歷屆獲獎企業(yè)名單中，英偉達(dá)、索尼、美光等國際產(chǎn)業(yè)巨頭，以及東芝、住友電工、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的常客。
天岳先進(jìn)此次歷史性獲獎的核心驅(qū)動力，源于其長期聚焦于碳化硅襯底材料技術(shù)，并在此領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了持續(xù)的創(chuàng)新突破。天岳先進(jìn)長期深耕襯底材料研發(fā)，其在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得的一系列突破性進(jìn)展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達(dá)到了國際領(lǐng)先水平，成為全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新標(biāo)桿。
超芯星的碳化硅長晶技術(shù)獲國際金獎！
近日，在第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展上，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（簡稱：超芯星）憑借自主研發(fā)的碳化硅長晶技術(shù)斬獲金獎！
超芯星是國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，專注于碳化硅（SiC）襯底全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)與生產(chǎn)。自公司落地南京后，超芯星研發(fā)團(tuán)隊不斷攻克難關(guān)，先后突破了低應(yīng)力、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術(shù)等多項關(guān)鍵技術(shù)難點，形成了一整套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的工藝，覆蓋設(shè)備、粉料、晶體生長晶體加工及晶片檢測全流程。
目前，碳化硅長晶技術(shù)主要有液相法、物理氣相法（PVT）和高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）三類，每種方法都有其獨特的工藝步驟、優(yōu)點和挑戰(zhàn)。其中HTCVD法具備連續(xù)性供料的先進(jìn)特性，能夠確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定與高效；所產(chǎn)出晶體的純度極高，極大地提升了碳化硅材料的性能與質(zhì)量；同時，其生長速度之快也為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用鋪就了堅實道路。
而據(jù)超芯星半導(dǎo)體創(chuàng)始人、CEO劉欣宇介紹，如今超芯星已經(jīng)成為全世界‘唯三’、全國唯一掌握HTCVD創(chuàng)新技術(shù)的創(chuàng)業(yè)公司，也是國際少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一。
來源：天岳先進(jìn)、南京日報
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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