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特斯拉大砍SiC，GaN替補(bǔ)上位？
中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，一度被視為新能源汽車領(lǐng)域的理想材料。特斯拉，曾打響SiC上車的第一槍。2011年，科銳（現(xiàn)Wolfspeed）公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后，特斯拉發(fā)布第四款車型Model 3，該車型的主逆變器安裝了24個意法半導(dǎo)體（ST）公司生產(chǎn)的SiC MOSFET功率模塊。搭載24個SiC MOSFET功率模塊的Model 3主逆變器（來源：NE時代）此后，SiC不僅成為半導(dǎo)體廠商激烈涌進(jìn)的熱門賽道，也在全球新能源車市場加速上車。不過轉(zhuǎn)過頭來，特斯拉在今年的投資者日活動上表示，為進(jìn)一步降低車輛成本，計(jì)劃在下一代電動汽車動力系統(tǒng)..【詳細(xì)】
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